内存3月上旬合约价同步大涨，DRAM模块合约价大涨15～23％，NAND闪存芯片亦大涨10%，其中严重缺货的TLC芯片涨幅更高达57～58％。中关村在线的数据显示，国内主流4G内存的价格已经由12年底的105元上涨至目前的165元，涨幅近60%。上涨原因一方面是市场需求转强外，最大原因在于上游DRAM及NAND芯片厂无法开出足够产能，导致市场供不应求。国内涉足内存相关业务的上市公司包括朗科科技300042，太极实业600667，长城开发000021等.
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