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中科院网站消息，由国家存储器基地主要承担单位长江存储科技有限责任公司与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求，成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。