上证报资讯从多方核实，紫光集团将与武汉新芯联手打造中国存储器战略，发展NAND Flash记忆体，并可能获得美光（Micron）技术授权。此前，武汉新芯在NAND Flash领域已获得飞索半导体（Spansion）技术授权，预计2017年量产32层堆叠产品；并获得大基金240亿美元投资，其规划月产能100万片的新厂已动工建设。
合作充分显示了紫光集团在半导体领域（存储）上的话语权，有利于紫光快速切入存储器领域；此前，紫光已明确旗下紫光国芯为其存储平台，并已定增800亿元用于存储器战略。从产业链考虑，存储需要上游设备材料、设计，下游封装、应用的配合。
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